為使光學(xué)零件能滿足在光電儀器及元器件中所需的光學(xué)，電學(xué)，物理性能，而可以在其表面上鍍一層，多層乃至上百層的薄膜。例如增透膜、反射膜、分光膜、濾光膜、電熱膜、保護(hù)膜、偏振膜等。光學(xué)零件的鍍膜主要分物理和化學(xué)鍍膜兩類。由于真空技術(shù)和膜系監(jiān)控技術(shù)的發(fā)展，較易獲得性能穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的膜層。故在生產(chǎn)中多以真空鍍膜法為主。

  按照薄膜的使用性能分類，常見的膜層有：增透膜，反射膜，分光膜，濾光膜，電熱膜，導(dǎo)電膜及保護(hù)膜等。

  按照薄膜的結(jié)構(gòu)可以分為單層膜，雙層膜及多層膜等。

  下面我們將就真空鍍膜的基本知識作一些介紹。

一、  真空的獲得

1． 真空的基本知識

    “真空”是指壓力低于一個大氣壓的任何氣態(tài)的空間。在這種空間中氣體是比較稀薄的，至少比大氣要稀薄，但是“真空”，即沒有任何氣態(tài)微粒的空間是找不到的，就是在遠(yuǎn)離地球一萬公里處、每立方厘米也有3～4千個空氣的分子。

   由于真空度大小仍然是氣體壓力大小的問題，所以計(jì)量壓強(qiáng)的單位也就是計(jì)量真空度的單位。國際標(biāo)準(zhǔn)單位為帕斯卡（Pa），也可用“托”(Torr)、“巴”(bar)和“毫巴”(mbar)來計(jì)量，他們之間的關(guān)系如下式：

    1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓=1.01×105帕斯卡（Pa）=760托(Torr)=1.01×103毫巴

2． 為什么需在真空中鍍膜

在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實(shí)上，如在壓力不夠低(或者說真空度不夠高)的情況下同樣得不到好的結(jié)果，比如在10圖片托數(shù)量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機(jī)械強(qiáng)度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。蒸鍍必須在一定的真空條件下進(jìn)行，這是因?yàn)椋?br />
（1）．較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。

    由于氣體分子的熱運(yùn)動，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運(yùn)動的速度相當(dāng)?shù)母?可達(dá)每秒幾百米)，但是由于它在前進(jìn)的過程中要與其它分子多次碰撞，一個分子在兩次連續(xù)碰撞之間所走的距離被稱為它的自由程，而大量分子自由程的統(tǒng)計(jì)平均值就被稱為分子的平均自由程。

  由于氣體壓強(qiáng)與單位體積的分子數(shù)成正比，因此平均自由程與氣體的壓強(qiáng)亦成正比。

 在真空淀積薄膜過程中，當(dāng)?shù)矸e距離大于分子的平均自由程時被稱為低真空淀積，而當(dāng)?shù)矸e距離小于分子的平均自由程時被稱為高真空淀積。在高真空淀積時，蒸發(fā)原子(或分子)與殘余氣體分子間的碰撞可以忽略不計(jì)，因此汽化原子是沿直線飛向基片的，這樣保持較大動能到達(dá)基片的汽化原子即可以在基片上凝結(jié)成較牢固的膜層。在低真空淀積時，由于碰撞的結(jié)果會使汽化原子的速度和方向都發(fā)生變化，甚至可能在空間生成蒸汽原子體—其道理與水蒸汽在大氣中生成霧相似。

（2）．在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染

    在真空度不太高的情況下，真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子(氧、氮、水及碳?xì)浠衔锏?，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應(yīng)；它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命；它們在已蒸發(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進(jìn)行……。

二、  真空測量

現(xiàn)代真空技術(shù)的發(fā)展使人們已經(jīng)可以測量從大氣壓一直到10-12Pa的真空壓強(qiáng)，當(dāng)然只使用一種真空計(jì)完成在這么廣的區(qū)間內(nèi)的測量工作是不可能的，因此人們常常使用幾種真空計(jì)分別完成各自范圍的真空測量。

    下面分別介紹一下我司真空鍍膜機(jī)上常用的幾種真空計(jì)：

a.  熱偶真空計(jì)和皮拉尼真空計(jì)

在一定范圍內(nèi)，氣體的熱傳導(dǎo)率是壓力的函數(shù)，這就是熱偶真空計(jì)和皮拉尼真空計(jì)的測量原理。

熱偶真空計(jì)采用直接測量溫度變化的方法來進(jìn)行工作。在加熱電流維持恒定時，如果氣體壓強(qiáng)降低，則氣體熱傳導(dǎo)系數(shù)減少，熱偶工作端的溫度升高，相應(yīng)的熱電動勢即要增加，通過壓強(qiáng)和電動勢的關(guān)系即可確定出系統(tǒng)的壓強(qiáng)。

皮拉尼真空計(jì)和熱偶真空計(jì)一樣也常用做中等真空范圍的測量。皮拉尼真空計(jì)有一個玻璃或金屬外殼，殼內(nèi)裝有高溫電阻系數(shù)的金屬絲(如鉑、鎢等)，隨著壓強(qiáng)的降低，燈絲的溫度及其電阻值就會升高，根據(jù)測得的電阻值即可間接得到壓強(qiáng)的值了。

b. 冷陰極電離真空計(jì)

冷陰極電離真空計(jì)亦稱潘寧真空計(jì)。當(dāng)放電管在低于10圖片毫巴的壓強(qiáng)下工作時，由于氣體分子稀少電子從陰極飛向陽極的過程中很少與氣體分子碰撞。但如果在電子運(yùn)動的垂直方向加一強(qiáng)磁場，則電子運(yùn)動的軌跡即變成螺旋形，這樣電子電離氣體分子的機(jī)會就有效增加了，甚至在非常低的氣體密度下，也能有大量的氣體被電離。當(dāng)陽極電壓和磁場強(qiáng)度皆為恒定時，對于一定的氣體成分來說，離子電流與壓強(qiáng)直接相關(guān)，這就是冷陰極離真空計(jì)工作的原理。

三、  薄膜的形成

A、凝聚是基體分子和蒸發(fā)原子互相吸附的結(jié)果

真空中，具有一定能量的蒸發(fā)原子沖擊到基底的表面時，受基底表面力場的作用與基底分子進(jìn)行了能量交換，這時在蒸發(fā)原子與基底分子之間則產(chǎn)生了吸附一物理吸附和化學(xué)吸附。物理吸附為任何兩個彼此接近分子間的范德瓦爾斯力，化學(xué)吸附為原子間的化學(xué)鍵力。當(dāng)然不是所有的蒸發(fā)原子都能與基底分子吸附的，有一部分原子保持了自己的大部分能量，碰撞后發(fā)生了反射，而即使是那些被吸附的蒸發(fā)原子他仍然可以在基底表面進(jìn)行遷移，或者被解吸而離開基底表面。另外，在基底表面還存在另一種類型的作用，即蒸發(fā)原子和已經(jīng)被吸附在基底表面上的同類原子的締合作用。象這樣，蒸發(fā)原子被基底所吸附的過程即為凝聚。

    人們把凝聚原子與入射原子之比稱為蒸發(fā)原子的凝聚系數(shù)。一般來說，凝聚系數(shù)總是要小于l的。由于原子間的吸引力不同，所以同種蒸發(fā)原子對不同的基底來說其凝聚系數(shù)是不相同的。

每一種蒸發(fā)原子對于不同的基底都有不同的成膜臨界溫度，只有當(dāng)基底溫度低于成膜臨界溫度時才可能凝聚。這種現(xiàn)象可解釋為：當(dāng)基底溫度過高時，撞擊在基底表面上的蒸發(fā)原子不是被反射就是被解吸。還應(yīng)說明的是，在成膜過程中(已有成膜基礎(chǔ))，基底溫度雖然超過臨界溫度，但薄膜仍可以繼續(xù)生長，然而其結(jié)晶態(tài)將被改變。在成膜初期，薄膜是以無定形或玻璃體狀態(tài)出現(xiàn)的，隨著溫度的升高，薄膜逐漸向亞穩(wěn)態(tài)過渡，如果這個趨勢繼續(xù)發(fā)展下去，則將向穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)化，開成結(jié)晶薄膜。

B. 薄膜的形成過程   

    在開始蒸鍍后，基底表面較為均勻地吸附了一些蒸發(fā)的原子，蒸發(fā)原子之間的相互作用使其聚集成一些晶核，這些晶核不斷地生長、遷移、合并，形成了一些小島(大的晶核聚集而成)，基底表面的這些小島進(jìn)一步生長，彼此相近的島互相接合形成大島。隨著淀積的進(jìn)行，這些大島和小島的高度也在不斷地增加，在整個基底表面上形成一種帶溝渠的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。不斷蒸鍍的結(jié)果使蒸發(fā)原子在溝渠內(nèi)也不斷地成核、成島，逐漸填充完整個溝渠。當(dāng)基底表面上的溝渠和孔洞被填滿后，蒸發(fā)原子就繼續(xù)堆砌在這些結(jié)構(gòu)上形成了各種各樣的薄膜。

  在電子顯微鏡下可以看出，常規(guī)熱蒸發(fā)的薄膜無例外地都是一種柱狀結(jié)構(gòu)，柱體的方向與薄膜的生長方向相同而垂直于薄膜界面，而這一個個柱體之間則存在著許多問隙。人們用填充密度來度量薄膜中總的間隙





填充密度是襯底溫度函數(shù)，在大多數(shù)情況下，基底溫度升高填充密度也增加。一般說來，提高蒸發(fā)速率可以使填充密度增加，而蒸發(fā)速率的影響在膜層較低時特別明顯。填充密度還隨膜層厚度的增加而增加，這很可能是由于在成膜過程中薄膜的結(jié)構(gòu)狀態(tài)發(fā)生了變化而引起的，也可能是由于在成膜過程中薄膜的一部分氣孔被堵塞而引起的。另外，真空室內(nèi)殘余氣體的壓力對填充密度也有影響，殘余氣體壓力升高，填充密度將要減少。

四 鍍膜機(jī)構(gòu)成



如上圖所示，鍍膜機(jī)一般由真空室、排氣系統(tǒng)（機(jī)械泵、羅茨泵、擴(kuò)散泵、連接法蘭）、膜厚控制（光控、晶控）、加熱系統(tǒng)等組成。

1． 真空系統(tǒng)

為獲得必要的真空度，在真空鍍膜機(jī)中一般用機(jī)械泵、羅茨泵和擴(kuò)散泵聯(lián)合抽氣來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)然隨作真空度要求的提高，以及真空室清潔等要求，目前還應(yīng)用干泵、低溫泵、分子泵等來進(jìn)行抽氣，在此不作介紹。

A.  機(jī)械泵

機(jī)械泵是應(yīng)用范圍普遍的泵，在各種真空機(jī)組中都少不了它。下面以旋片式機(jī)械泵為例敘述一下機(jī)械泵的抽氣過程。

旋片式機(jī)械泵的轉(zhuǎn)子由一個圓軸和鑲嵌在圓軸切口中的旋片組成，轉(zhuǎn)子的軸線偏離于空腔的軸線，而轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動時旋片能始終保持對定子(即機(jī)械泵內(nèi)壁)的滑動接觸。由于在溫度不變的情況下容器體積和壓強(qiáng)成反比，因此機(jī)械泵在轉(zhuǎn)動時通過旋片所限制空間體積的不斷變化即可達(dá)到排氣的目的。

B.  羅茨泵

    羅茨泵也是旋轉(zhuǎn)泵的一種，它是依靠一對8字形的漸開線轉(zhuǎn)子在保持一定間隙下通過等速反向旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行抽氣的。在它工作時兩個轉(zhuǎn)子在機(jī)殼內(nèi)轉(zhuǎn)動，氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入空腔，隨著轉(zhuǎn)子位置的改變，這個腔體依次和機(jī)殼上部進(jìn)氣口隔絕，并緊接著和下面的出氣口機(jī)通，從而把氣體排出泵外。由于轉(zhuǎn)子是連續(xù)旋轉(zhuǎn)的，因此氣體也就可以連續(xù)地被抽出。

C. 油擴(kuò)散泵

    油擴(kuò)散泵的工作原理建立在連續(xù)流體的伯努利原理上，用擴(kuò)散泵抽氣可以獲得低于10圖片托的高真空度，而擴(kuò)散泵的發(fā)明使真空技術(shù)發(fā)生了巨大的變化，因?yàn)橐酝脵C(jī)械泵抽氣其極限真空一般只能達(dá)到10圖片托。

在使用擴(kuò)散泵的過程中一定要注意冷卻水的流量和溫度，并且只有在擴(kuò)散泵油被加熱到沸騰以后，才能開啟高真空閥，否則會造成真空室的大量返油。鍍膜機(jī)的擴(kuò)散泵停止工作后，必須使它在機(jī)械泵繼續(xù)工作的情況下充分冷卻然后才能關(guān)機(jī)。

2． 蒸發(fā)系統(tǒng)

為使所蒸發(fā)的膜料熔化，加熱方式按照工作原理主要有三種：熱蒸發(fā)、濺射和離子鍍。我司采用的熱蒸發(fā)模式，熱蒸發(fā)方式主要有電阻加熱、電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱和激光加熱等方式，目前運(yùn)用多的還是電子束加熱，在此作簡單介紹：

電子束蒸發(fā)的原理是：金屬在高溫狀態(tài)下，它內(nèi)部的一部分電子獲得足夠的能量，逸出金屬表面，這就是所謂熱電子發(fā)射。如果加上一定的電磁場，則發(fā)射的電子在電場中將向陽極方向運(yùn)動，電場電壓越大，電子的運(yùn)動速度越快。高速運(yùn)動的電子流，在電磁場中聚集成細(xì)束，轟擊被鍍材料表面，由于動能轉(zhuǎn)化成熱能，使材料迅速升溫而蒸發(fā)。

3． 膜厚監(jiān)控系統(tǒng)

對于不同種類的薄膜，監(jiān)控厚度的方法是不相同的，各種隨厚度而變化的參數(shù)(如質(zhì)量、電阻、電容、渦流、反射率、透射率等)都可以利用來監(jiān)控膜厚。對于淀積速率采用石英晶體振蕩法來進(jìn)行淀積速率的控制。

  這里簡要介紹用光學(xué)法和石英晶體振蕩法來監(jiān)控膜層厚度及淀積速率的原理。

  （1）、用光學(xué)法監(jiān)控膜層厚度

   在鍍制光學(xué)膜時大都采用光學(xué)法，即通過對膜層反射率和透射率的測量來進(jìn)行膜層厚度的監(jiān)控。

    極值法：由于光波干涉的結(jié)果，薄膜的光學(xué)厚度每增加某一波長1／4倍，則在這一波長上即可得到一個透過率或反射率的極值(極大或極小)薄膜光學(xué)厚度和極值個數(shù)的關(guān)系如下：

            nd=Nλ/4

    另外還有定值法、比例法、波長調(diào)制法等多種光學(xué)膜厚監(jiān)控方法。

（2） 石英晶體振蕩監(jiān)控

石英晶體監(jiān)控是利用石英晶體的壓電效應(yīng)，通過測量石英晶體的震蕩頻率的變化轉(zhuǎn)換出膜的厚度。電場加到石英晶體上可使晶體產(chǎn)生振蕩，附加在石英晶體的質(zhì)量增加時，石英晶體振蕩頻率降低，通過這樣的方法可以間接測量出薄膜的厚度。即：

Δf=-(ρf/ρq)*(f2/N)*Δdf

Δf：鍍膜時厚度增加振蕩頻率的變化

ρf：膜層密度

ρq：石英密度

f：石英的基頻，我司使用6MHZ晶片

N：頻率常數(shù)

Δdf：膜層厚度增量

從上式可以看出，ρf、ρq、f、N均為常數(shù)，所以Δf與Δdf成正比關(guān)系，通過監(jiān)控頻率的變化，即可得到膜層的厚度。

隨作薄膜沉積厚度的增加，石英晶體振蕩的頻率越來越小，噪音越來越大，為保證膜厚控制的準(zhǔn)確性，當(dāng)厚度沉積到一定時，必須更換晶片。

二、  常用膜料特性

在光學(xué)薄膜生產(chǎn)中常有這種情況：對不同的鍍膜機(jī)、有時甚至對不同的操作者來說，同一膜料的特性往往表現(xiàn)卻不一樣。因此一般說，操作者應(yīng)當(dāng)測定他的鍍膜機(jī)和鍍膜過程的特殊參數(shù)作為參考?，F(xiàn)將我司常用薄膜材料作簡要介紹。

1、氟化鎂（MgF2）

在薄膜生產(chǎn)中，大概用得多的膜料是氟化鎂，在低折射率材料中，氟化鎂是牢固的，當(dāng)基片溫度達(dá)到250攝氏度左右，可以獲得非常滿意的結(jié)果。氟化鎂在λ=550nm的折射率約為1.38，透明區(qū)為0.12-10μm，它被普遍用于增透膜的鍍制。

一般簡單的情況是單層增透膜，氟化鎂的蒸發(fā)溫度為1300-1600攝氏度，可以用電子束蒸發(fā)。在蒸發(fā)氟化鎂時易于噴濺，這是由于蒸發(fā)表面形成了一層比氟化鎂溶點(diǎn)更高的氧化鎂所致，材料蒸發(fā)次數(shù)越多，這種現(xiàn)象越嚴(yán)重。其次由于氟化鎂本身晶粒太細(xì)，出氣預(yù)熔的氣體來不及釋放，因此選用純度相當(dāng)?shù)哪ち鲜呛苤匾?，使用專門用于增透的品級。  

2、二氧化鋯（ZrO2）

二氧化鋯具有較高的折射率，易于蒸發(fā)得到低吸收的薄膜，而且膜層十分牢固穩(wěn)定。短波0.25μm處的消光系數(shù)為0.001，所以可以作為紫外材料。

二氧化鋯膜有許多優(yōu)異的特性，可惜它的折射率有明顯的不均勻現(xiàn)象，及隨著膜厚增加，折射率降低。為消除非均勻性，一種有效的方法是在ZrO2種摻入某種金屬或氧化物，如摻入一定量的Ta2O5或Y2O3等等，可以獲得折射率穩(wěn)定的膜層。

3、三氧化二鋁

    三氧化二鋁由于它特定的折射率值(1.63)和它與玻璃基底以及各種材料的牢固的結(jié)合力，因此它不僅是鍍制多層寬帶增透膜必不可少的膜料，也是各種金屬膜底膜的材料。比如在銀反射鏡的鍍制中，它就被用作銀膜的底層及銀膜與表面層(氧化硅)的結(jié)合層。它的熔點(diǎn)為2046℃。一般用電子束來進(jìn)行蒸發(fā)。

    實(shí)現(xiàn)1.63折射率較好的工藝條件是：基片溫度為300℃，氫氣分壓1.8×10-2Pa，淀積速率4-10埃／秒。

4． 二氧化鈦

    二氧化鈦是極其強(qiáng)固的膜料，但有比較高的熔點(diǎn)(1925℃)，這使得它直接蒸發(fā)非常困難。直接蒸發(fā)二氧化鈦的問題在于，很高的蒸發(fā)溫度引起二氧化鈦分解，結(jié)果在膜層中出現(xiàn)吸收。已發(fā)現(xiàn)在蒸鍍期間，分解生成的一氧化鈦可以再氧化成二氧化鈦，但要求確保真空室的空氣中有足夠的氧氣存在。氧化實(shí)際發(fā)生在鍍件的表面而不在氣流中，因此殘余氧氣的壓強(qiáng)必須調(diào)到足夠高，使氧分子碰撞鍍件表面的次數(shù)足夠多。如果氧氣壓強(qiáng)太高，則膜呈現(xiàn)多孔而且很松軟。因此存在一個使氧化過程進(jìn)行得壓強(qiáng)范圍，對每一臺鍍膜機(jī)，必須通過試驗(yàn)確定蒸鍍條件。因?yàn)橐谎趸伒娜埸c(diǎn)既低于純金屬鈦，又低于二氧化鈦，所以它是一種常用的蒸發(fā)物質(zhì)。蒸發(fā)必須用鎢舟，而且要慢慢進(jìn)行，以保證氧化完全。二氧化鈦在整個可見光區(qū)保持透明，在紫外區(qū)的350納米附近，吸收變得很強(qiáng)。

5． 五氧化二鉭(Ta圖片0圖片)

     五氧化二鉭只在制造薄膜電容器方面有應(yīng)用，而近些年來它在光學(xué)方面也被應(yīng)用得越來越廣。五氧化二鉭薄膜不僅折射率高，而且比起氧化鈦、氧化鋯等高折射率材料來，它的折射率易于控制，這一點(diǎn)對穩(wěn)定薄膜生產(chǎn)工藝、提高產(chǎn)品合格率尤為重要。同時由于它透明區(qū)寬廣、物理化學(xué)穩(wěn)定性好、抗激光損傷能力強(qiáng)，所以它特別適于制備寬帶增透膜或各種激光膜。目前已在DWDM波分復(fù)用器的超窄帶濾光片中顯示出其優(yōu)良的特性。

    五氧化二鉭的熔點(diǎn)為1880℃，達(dá)到10圖片毫巴飽和蒸汽壓的溫度為2000℃。蒸鍍五氧化二鉭可以采用電子束加熱法，當(dāng)基底溫度為300℃、氧氣分壓為5×10圖片毫巴、淀積速率為10埃／秒時得到膜層的折射率為2.05。

三、  常用膜系簡介

1． 增透膜（減反射膜）

我們都知道當(dāng)光線從折射率為n0的介質(zhì)射入折射率為n1的另一介質(zhì)時在兩介質(zhì)的分界面上就會產(chǎn)生光的反射，透過率損失，像的亮度降低，影響作用距離等；雜光影響，像的反襯度降低；目前已有很多不同類型的增透膜可供利用，以滿足技術(shù)光學(xué)領(lǐng)域的極大部分需要?？墒菑?fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)和激光光學(xué)，對減反射性能往往有特殊嚴(yán)格的要求。例如，大功率激光系統(tǒng)要求某些元件有極低的表面反射，以避免敏感元件受到不需要的反射的破壞，并且對于薄膜往往有激光閾值的要求。此外，寬帶增透膜可以提高象質(zhì)量、色平衡和作用距離，而使系統(tǒng)的全部性能增強(qiáng)，因此，生產(chǎn)實(shí)際的需要促使了減反射膜的不斷發(fā)展。 設(shè)計(jì)減反膜并沒有完整的系統(tǒng)的方法，簡捷的途徑是用矢量法，并通過試行法得到較滿意的結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行數(shù)值計(jì)算作精確校核，以消除矢量法所固有的近似影響。

2． 分光膜

一般講分光膜可以分為分束膜和分色膜，后者是按顏色（波長）不同進(jìn)行分光，本節(jié)主要講分束膜，它把一束光分按比例成光譜成分相同的兩束光， 也即它在一定的波長區(qū)域內(nèi)，如可見區(qū)內(nèi)，對各波長具有相同的透射率、反射率比例，因而反射光和透射光不具有顏色，并呈中 性。分光鏡通常總是傾斜使用的，它能把入射光分離成反射光和透射光兩部分，對于不同的用途分光鏡往往有不同的透射率和反射率比T／R。

3． 反射膜

在光學(xué)薄膜中，反射膜和增透膜幾乎同樣重要，對于光學(xué)儀器中的反射統(tǒng)來說，由于單純金屬膜的特性大都已經(jīng)滿足常用要求，因而我們首先討論金屬反射 膜，在某些應(yīng)用中，若要求的反射率高于金屬膜所能達(dá)到的數(shù)值則可在金屬膜上加額外的介質(zhì)膜以提高它們的反射率， 介紹全介質(zhì)多層反射膜，由于這種反射膜具有反射率和吸收率因而在激光應(yīng)用中得到了使用。

4． 濾光片

要求某一波長范圍的光束高效透射而偏離這一波長的光束驟然變化為高反射(或稱抑制)的干涉截止濾光片有著普遍的應(yīng)用（例如：電影放映機(jī)中的冷光鏡），通常我們把抑制短波區(qū)、透射長波區(qū)的濾光片稱為長波通濾光片。相反抑制長波區(qū)、透射短波區(qū)的截止濾光片就稱為短波通濾光片。
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