鍍膜過程偏壓的作用：



1，提高真空等離子體內(nèi)帶電粒子的能量，轟擊清洗工件表面（反濺射/刻蝕），使工件表面經(jīng)受高能粒子撞擊后得到嶄新的表層，從而提高后續(xù)沉積膜層的結(jié)合力。



2，提高并控制真空等離子體內(nèi)帶電粒子的能量，增加碰撞電離幾率，吸引帶電粒子加速，提高膜層與工件基體結(jié)合力。



3，靠不同的電壓輸出極性或方式改變沉積規(guī)則從而調(diào)整膜層顏色。



4，改變膜層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，改善膜層質(zhì)量。





鍍膜過程偏壓的分類：



1，直流負(fù)偏壓



在工件上加載直流負(fù)偏壓，使等離子體中的正離子獲得更大的能量，正離子加速度轟擊工件，還可以對(duì)從靶材表面被濺出來的等帶電離子進(jìn)行某種程度的導(dǎo)向沉積。直流負(fù)偏壓連續(xù)無中斷，故對(duì)基片有一定的加熱升溫作用。



2，直流正偏壓



在離子鍍氣體放電中，氣相成核粒子會(huì)呈現(xiàn)一定的負(fù)電位，這種情況下工件加載一定的正偏壓，有利于膜層沉積。



3，脈沖偏壓

產(chǎn)生震蕩等離子體。在減小脈沖占空比的同時(shí)，提高脈沖電源的強(qiáng)度可使等離子體的密度和溫度增大和增高。對(duì)所有類型的基片（導(dǎo)電&不導(dǎo)電）轟擊效果增強(qiáng)。使得二次電子的生存時(shí)間增加，增大了碰撞機(jī)率，從而增加等離子體密度。調(diào)節(jié)脈沖頻率和占空比可控制沉積速率。調(diào)節(jié)脈沖頻率和占空比可控制溫升，可在低溫下成膜，避免擊損基片原有組織。對(duì)于多弧，由于沉積速率過快，不適合進(jìn)行電子器件等精密工件的膜層沉積。引入脈沖偏壓可有效的改善。



4， 零偏壓與懸浮偏壓

在沒有帶電粒子參與的鍍膜過程（如簡單的蒸鍍等），可以選用零偏壓/懸浮偏壓。

耐受溫度較低的工件（如塑料件等）鍍膜時(shí)，為了防止工件變形，可以選用零偏壓/懸浮偏壓或選用小占空比低幅值偏置電壓。
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